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深圳市芯楠科技有限公司
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产品信息
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 耗尽模式
漏源极电压(Vdss) : 450V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 200mA(Tj)
不同Id,Vgs时的RdsOn : 20 欧姆 @ 150mA,0V
不同Id时的Vgs(th) : -
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : -
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 360pF @ 25V
功率-大值 : 1.6W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-243AA
供应商器件封装 : TO-243AA(SOT-89)